MOSFET N-CH TO263-7 (IPB180N10S403ATMA1)

Part Number: IPB180N10S403ATMA1


Documents / Media: datasheets IPB180N10S403ATMA1


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 180µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10120pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-7-3
  • Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Цена по запросу