IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH TO263-3 (IPB60R299CPAATMA1)
Part Number: IPB60R299CPAATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 440µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 96W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-3
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
147 р.