IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH TO252-3 (IPD50N08S413ATMA1)
Part Number: IPD50N08S413ATMA1
Documents / Media: datasheets IPD50N08S413ATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 33µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1711pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 72W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3-313
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
46 р.