IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH TO220-3 (IPP90N06S4L04AKSA2)
Part Number: IPP90N06S4L04AKSA2
Documents / Media: datasheets IPP90N06S4L04AKSA2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу