MOSFET N-CH TO220-3

MOSFET N-CH TO220-3 (IPP60R170CFD7XKSA1)

Part Number: IPP60R170CFD7XKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™ CFD7
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 300µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1199pF @ 400V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 75W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220-3
  • Корпус: TO-220-3

158 р.