IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 950V 6A TO252 (IPD95R1K2P7ATMA1)
Part Number: IPD95R1K2P7ATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™ P7
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 950V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 140µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 478pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 52W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
63 р.