MOSFET N-CH 950V 4A TO252

MOSFET N-CH 950V 4A TO252 (IPD95R2K0P7ATMA1)

Part Number: IPD95R2K0P7ATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: CoolMOS™ P7
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 950V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 80µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 330pF @ 400V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 37W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO252-3
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу