MOSFET N-CH 8TSON

MOSFET N-CH 8TSON (IPL60R1K5C6SATMA1)

Part Number: IPL60R1K5C6SATMA1

Documents / Media: datasheets IPL60R1K5C6SATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: CoolMOS™ C6
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 90µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 200pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 26.6W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: Thin-PAK (5x6)
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу