MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2

MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 (BSB044N08NN3GXUMA1)

Part Number: BSB044N08NN3GXUMA1

Documents / Media: datasheets BSB044N08NN3GXUMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 97µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 40V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Корпус: 3-WDSON

Цена по запросу