MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET (IRF6646TR1PBF)

Part Number: IRF6646TR1PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.9V @ 150µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2060pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MN
  • Корпус: DirectFET™ Isometric MN

Цена по запросу