IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP (SPA08N80C3XKSA1)
Part Number: SPA08N80C3XKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 470µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-FP
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
123 р.