MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 (IPD80R900P7ATMA1)

Part Number: IPD80R900P7ATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: CoolMOS™ P7
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 110µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 350pF @ 500V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 45W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO252-3
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу