MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 (IPA80R1K2P7XKSA1)

Part Number: IPA80R1K2P7XKSA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™ P7
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 80µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 300pF @ 500V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 25W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу