IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 (IPA80R1K2P7XKSA1)
Part Number: IPA80R1K2P7XKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™ P7
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 80µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 300pF @ 500V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 25W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу