IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 (IPN80R4K5P7ATMA1)
Part Number: IPN80R4K5P7ATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™ P7
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 20µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 80pF @ 500V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 6W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223
- Корпус: SOT-223-3
25 р.