IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 800V 11A TO220 (SPA11N80C3XKSA2)
Part Number: SPA11N80C3XKSA2
Documents / Media: datasheets SPA11N80C3XKSA2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 680µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 34W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3
- Корпус: TO-220-3 Isolated Tab
Цена по запросу