MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8 (IRF7759L2TRPBF)

Part Number: IRF7759L2TRPBF


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 75V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 375A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 12222pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DIRECTFET L8
  • Корпус: DirectFET™ Isometric L8

275 р.