MOSFET N-CH 75V 120A TO-262

MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 (IRFSL3307ZPBF)

Part Number: IRFSL3307ZPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 75V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 150µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4750pF @ 50V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 230W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-262
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу