IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 (IPB031NE7N3GATMA1)
Part Number: IPB031NE7N3GATMA1
Documents / Media: datasheets IPB031NE7N3GATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 75V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.8V @ 155µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8130pF @ 37.5V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 214W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-3-2
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
132 р.