IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 (IPN70R600P7SATMA1)
Part Number: IPN70R600P7SATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™ P7
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 700V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 364pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 6.9W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223
- Корпус: SOT-223-3
Цена по запросу