MOSFET N-CH 650V TO247-4

MOSFET N-CH 650V TO247-4 (IPZ65R019C7XKSA1)

Part Number: IPZ65R019C7XKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™ C7
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 58.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 2.92mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9900pF @ 400V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 446W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO247-4
  • Корпус: TO-247-4

Цена по запросу