IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8 (IPT65R033G7XTMA1)
Part Number: IPT65R033G7XTMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™ C7
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 28.9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1.44mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 391W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-HSOF-8
- Корпус: 8-PowerSFN
1104 р.