IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 (SPP20N60CFDXKSA1)
Part Number: SPP20N60CFDXKSA1
Documents / Media: datasheets SPP20N60CFDXKSA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 208W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу