IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 (IPD90N06S4L05ATMA2)
Part Number: IPD90N06S4L05ATMA2
Documents / Media: datasheets IPD90N06S4L05ATMA2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 90A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 60µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8180pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 107W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3-11
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу