MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 (IPD048N06L3GBTMA1)

Part Number: IPD048N06L3GBTMA1

Documents / Media: datasheets IPD048N06L3GBTMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 58µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 115W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO252-3
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу