MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 (IPI80N06S4L07AKSA2)

Part Number: IPI80N06S4L07AKSA2

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 40µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±16V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5680pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 79W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO262-3-1
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу