IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 (IPI80N06S405AKSA1)
Part Number: IPI80N06S405AKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 60µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6500pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 107W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO262-3
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу