IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 (IPI45N06S4L08AKSA1)
Part Number: IPI45N06S4L08AKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 45A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 35µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4780pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 71W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO262-3
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу