IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET (IRF7749L2TR1PBF)
Part Number: IRF7749L2TR1PBF
Documents / Media: datasheets IRF7749L2TR1PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 375A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 12320pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET L8
- Корпус: DirectFET™ Isometric L8
Цена по запросу