IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 24A TO220 (IPP029N06NAKSA1)
Part Number: IPP029N06NAKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 75µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 136W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
- Корпус: TO-220-3
96 р.