IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK (IRLS3036-7PPBF)
Part Number: IRLS3036-7PPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 160nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11270pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 380W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK (7-Lead)
- Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Цена по запросу