MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK (IRFSL7530PBF)

Part Number: IRFSL7530PBF


Documents / Media: datasheets IRFSL7530PBF


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 411nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 13703pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 375W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-262
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу