IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET (IRF6674TR1PBF)
Part Number: IRF6674TR1PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.9V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MZ
- Корпус: DirectFET™ Isometric MZ
Цена по запросу