IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB (IRFB3306PBF)
Part Number: IRFB3306PBF
Documents / Media: datasheets IRFB3306PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 150µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4520pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 230W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
66 р.