MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 (IPAN60R800CEXKSA1)

Part Number: IPAN60R800CEXKSA1


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 170µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 373pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс): 27W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу