IR (Infineon Technologies)
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220 (IPAN60R800CEXKSA1)
Part Number: IPAN60R800CEXKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 170µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 373pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: Super Junction
- Рассеивание мощности (Макс): 27W (Tc)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220 Full Pack
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу