IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 (IPD60R600C6BTMA1)
Part Number: IPD60R600C6BTMA1
Documents / Media: datasheets IPD60R600C6BTMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 440pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 63W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу