IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 (IPD60R750E6ATMA1)
Part Number: IPD60R750E6ATMA1
Documents / Media: datasheets IPD60R750E6ATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: CoolMOS™ E6
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 170µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 373pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 48W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу