IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3 (SPD04N60C3ATMA1)
Part Number: SPD04N60C3ATMA1
Documents / Media: datasheets SPD04N60C3ATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 50W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
76 р.