IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263 (IPB60R160C6ATMA1)
Part Number: IPB60R160C6ATMA1
Documents / Media: datasheets IPB60R160C6ATMA1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 11.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 750µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1660pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 176W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263AB)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
189 р.