MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263 (SPB12N50C3ATMA1)

Part Number: SPB12N50C3ATMA1

Documents / Media: datasheets SPB12N50C3ATMA1

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: CoolMOS™
  • Состояние детали: Last Time Buy
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 560V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 500µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-3-2
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу