MOSFET N-CH 55V 85A TO-262

MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 (IRF1010NLPBF)

Part Number: IRF1010NLPBF

Documents / Media: datasheets IRF1010NLPBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 43A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3210pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 180W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-262
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу