IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK (SPB77N06S2-12)
Part Number: SPB77N06S2-12
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 38A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 93µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 158W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-3-2
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу