IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 (AUIRLL2705TR)
Part Number: AUIRLL2705TR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу