MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 (IPD50N06S214ATMA2)

Part Number: IPD50N06S214ATMA2

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 32A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 80µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1485pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 136W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO252-3-11
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу