MOSFET N-CH 55V 42A DPAK (IRFR1010ZTRRPBF)

Part Number: IRFR1010ZTRRPBF


Documents / Media: datasheets IRFR1010ZTRRPBF


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 42A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 100µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 140W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D-Pak
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу