IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 (AUIRFL024N)
Part Number: AUIRFL024N
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18.3nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу