MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 (IRFL014NPBF)

Part Number: IRFL014NPBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-223
  • Корпус: TO-261-4, TO-261AA

Цена по запросу