IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 (IPD14N06S280ATMA2)
Part Number: IPD14N06S280ATMA2
Documents / Media: datasheets IPD14N06S280ATMA2
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 14µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 293pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 47W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO252-3-11
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу