MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 (IPB50R299CPATMA1)

Part Number: IPB50R299CPATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: CoolMOS™
  • Состояние детали: Last Time Buy
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 550V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 440µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 104W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO263-3-2
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу