MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 (IPD50R500CEATMA1)

Part Number: IPD50R500CEATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: CoolMOS™ CE
  • Состояние детали: Discontinued at Digi-Key
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.3A, 13V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 200µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 433pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 57W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TO252-3
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу