IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 (IPP50R500CEXKSA1)
Part Number: IPP50R500CEXKSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.3A, 13V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 433pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: Super Junction
- Рассеивание мощности (Макс): -
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: PG-TO220-3-1
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу